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DDR, DDR2, DDR3 & DDR4 RAM Arbeitsspeicher Hardware - alle Hersteller

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Samsung Speichermodul 32 GB DDR4 2666 MHz SODIMM 2R x 8 2G x 8 x 16 1.2 V
Samsung Speichermodul 32 GB DDR4 2666 MHz SODIMM 2R x 8 2G x 8 x 16 1.2 V
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  • Samsung - DDR4 - 32 GB - SO DIMM 260-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 32 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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Samsung Speicher 8 GB DDR4 RAM UDIMM 288-PIN 2666 MHz (PC4-21300)
Samsung Speicher 8 GB DDR4 RAM UDIMM 288-PIN 2666 MHz (PC4-21300)
  • Samsung - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN
  • Kapazität: 8 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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Samsung DDR4 8 GB SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
Samsung DDR4 8 GB SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
  • Samsung - DDR4 - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 8 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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Samsung DDR4 16 GB SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
Samsung DDR4 16 GB SO DIMM 260-PIN 2666 MHz / PC4-21300 CL19 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
  • Samsung - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 16 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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V7 DDR2 4 GB SO DIMM 200-PIN 800 MHz / PC2-6400 ungepuffert nicht-ECC
V7 DDR2 4 GB SO DIMM 200-PIN 800 MHz / PC2-6400 ungepuffert nicht-ECC
  • V7 - DDR2 - 4 GB - SO DIMM 200-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 4 GB
  • Speichertyp: DDR2 SDRAM - SO DIMM 200-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 800 MHz (PC2-6400)
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Hynix SO-DIMM 4 GB SK DDR4-2400 CL17 512Mx16 SR 260-Pin
Hynix SO-DIMM 4 GB SK DDR4-2400 CL17 512Mx16 SR 260-Pin
  • Betriebsspannung: 1,2V
  • Typ: Speicher
  • Speicherkapazität: 4GB
  • Speichertyp: DDR4
  • Speichermodul-Bauform: SO-DIMM
  • Anzahl Pins: ab 240 pin
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Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V
Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V
  • Samsung - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - registriert
  • Kapazität: 16 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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Samsung RAM DDR4 LR REG 64GB/PC2666/ECC/Samsung 4Rx4 64 GB DIMM CL19
Samsung RAM DDR4 LR REG 64GB/PC2666/ECC/Samsung 4Rx4 64 GB DIMM CL19
  • Samsung - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - LRDIMM
  • Kapazität: 64 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - LRDIMM 288-polig
  • Erweiterungstyp: Generisch
  • Datenintegritätsprüfung: ECC
  • Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
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Fujitsu DDR4 16 GB DIMM 288-PIN 2400 MHz / PC4-19200 1.2 V ungepuffert ECC für PRIMERGY RX1330 M3 TX1310 TX1320 TX1330
Fujitsu DDR4 16 GB DIMM 288-PIN 2400 MHz / PC4-19200 1.2 V ungepuffert ECC für PRIMERGY RX1330 M3 TX1310 TX1320 TX1330
  • Fujitsu - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 16 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN
  • Erweiterungstyp: Systemspezifisch
  • Datenintegritätsprüfung: ECC
  • Geschwindigkeit: 2400 MHz (PC4-19200)
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Transcend DDR4 4 GB SO DIMM 260-PIN 2133 MHz / PC4-17000 CL15 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
Transcend DDR4 4 GB SO DIMM 260-PIN 2133 MHz / PC4-17000 CL15 1.2 V ungepuffert nicht-ECC
  • Transcend - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - ungepuffert
  • Kapazität: 4 GB
  • Speichertyp: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
  • Erweiterungstyp: Systemspezifisch
  • Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
  • Geschwindigkeit: 2133 MHz (PC4-17000)
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