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Samsung 850 PRO 512 GB SSD intern 2.5" 6.4 cm SATA 6Gb/s Puffer: MB 256-Bit-AES Self-Encrypting Drive SED TCG Opal Encryption 2.0 (MZ-7KE512Z)

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Samsung 850 PRO 512 GB SSD intern 2.5" 6.4 cm SATA 6Gb/s Puffer: MB 256-Bit-AES Self-Encrypting Drive SED TCG Opal Encryption 2.0
Kurzinfo

  • Samsung 850 PRO MZ-7KE512Z - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s
  • Typ: Solid-State-Disk - intern - Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DevSleep-Modus, Samsung 3-core MEX Controller, 3D V-NAND Technology, RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache
  • Kapazität: 512 GB
  • Hardwareverschlüsselung: Ja
  • Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
  • NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC)
versandkostenfrei
216,89 €
Preis inkl. 16% MwSt.




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Lieferzeit: 1 - 2 Werktage
Artikel-Nr.:998912315
Hersteller-Nr.:MZ-7KE512Z
GTIN:8806086261814
Kategorie:Hardware & Netzwerk
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Samsung 850 PRO 512 GB SSD intern 2.5" 6.4 cm SATA 6Gb/s Puffer: MB 256-Bit-AES Self-Encrypting Drive SED TCG Opal Encryption 2.0

Produktbeschreibung:

Was ist 3D V-NAND und inwiefern unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Bei der Produktion des Samsung 3D V-NAND-Flash-Speichers wird ein innovatives, vertikales Design verwendet. Bei diesem vertikalen Aufbau werden 32 Zellschichten (Layer) übereinander gestapelt, anstatt die Länge und Breite der Zellen zu verringern, um in die heutzutage immer kleiner werdenden Formfaktoren hineinzupassen. Durch die Verwendung eines kleineren Footprints sorgt dieser
Aufbau für eine grössere Dichte und höhere Performance. Die Samsung 3D V-NAND-Technologie bedeutet einen Durchbruch beim
Versuch, die beim konventionellen, flächenmässigen NAND-Aufbau bestehenden Beschränkungen zu überwinden.

Erhöhte Performance mit einer in der Branche führenden 3D V-NAND SSD
Dank Samsungs eigener, hochmoderner 3D V-NAND-Technologie liefert die 850 PRO eine bis zu zweimal höhere Dichte und Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu einem gewöhnlichen, 20 nm Flächen-NAND-Flash und sorgt somit für die ultimative Lese- und Schreib-Performance. Durch den Wechsel zu einem 32-schichtigen, zylindrischen Zellaufbau können mehr Zellen vertikal gestapelt werden, was zu einem kleineren Footprint und zu einer höheren Dichte führt. Das Ergebnis ist eine überragende maximale Lese- und Schreib-Performance, sowohl sequentiell als auch zufällig. Das trifft vor allem auf das 128-GB-Modell zu, das ähnliche Modelle auf dem Markt bei der Schreibgeschwindigkeit um mehr als 100 MB/s übertrifft.

Ausserdem können Sie die Lese-/Schreib-Performance mit dem RAPID-Modus bei Bedarf an jede Kapazität anpassen. Wie beim Wechseln der Gänge im Auto haben Sie mit der Magician-Software die Möglichkeit, die Performance zu erhöhen, indem bei der Datenverarbeitung auf Systemebene freier PC-Speicherplatz (DRAM) als Zwischenspeicher genutzt wird. So ist beispielsweise das 128-GB-Modell in der Lage, seine Performance durch die Verwendung der V-NAND-Technologie um das Doppelte zu steigern.

Längere Arbeitszeit dank hoch effizienter Innovation
Die effizienten Energieverwaltungskomponenten der 850 PRO ermöglichen ein längeres und produktiveres Arbeiten. Die 850 PRO besitzt im vollen Betrieb den geringsten Energieverbrauch aller SSDs. Der Energieverbrauch wird also minimiert, die marktführende Performance aber beibehalten. Ausserdem verbraucht sie im Ruhezustand nur 2 Milliwatt ? dies ergaben Tests in einem Ultrabook™. Zudem bietet der LPDDR2-Chache-Speicher eine höhere Performance bei einem 30 Prozent geringeren Energieverbrauch im Betrieb und einem 93 Prozent geringeren Energieverbrauch im Leerlauf als ein herkömmlicher DDR2- oder DDR3-Speicher.

Technische Details:

Weitere Spezifikationen
Produktfarbe
Schwarz
Gewicht & Abmessungen
Höhe
69,8 mm
Breite
100 mm
Tiefe
6,8 mm
Betriebsbedingungen
Temperaturbereich in Betrieb
0 - 70 °C
Stoßfest (in Betrieb)
1500 G
Stoßfest (außer Betrieb)
1500 G
Temperaturbereich bei Lagerung
-40 - 85 °C
Vibrationen außer Betrieb
20 G
Luftfeuchtigkeit bei Lagerung
5 - 95 %
Luftfeuchtigkeit in Betrieb
5 - 95 %
Energie
Energieverbrauch (lesen)
3,5 W
Funktionen
Schreibgeschwindigkeit
520 MB/s
Datenübertragungsrate
6 Gbit/s
S.M.A.R.T. Unterstützung
Ja
SSD Speicherkapazität
512 GB
TRIM-Unterstützung
Ja
Komponente für
Notebook
Zufälliges Schreiben (4KB)
36000 IOPS
Speichertyp
3D MLC
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)
2000000 h
Lesegeschwindigkeit
550 MB/s
TBW-Bewertung
150
Schnittstelle
Serial ATA III
SSD-Formfaktor
2.5"
Unterstützt Windows-Betriebssysteme
Windows 7 Enterprise,Windows 7 Enterprise x64,Windows 7 Home Basic,Windows 7 Home Basic x64,Windows 7 Home Premium,Windows 7 Home Premium x64,Windows 7 Professional,Windows 7 Professional x64,Windows 7 Starter,Windows 7 Starter x64,Windows 7 Ultimate,Windows 7 Ultimate x64,Windows 8,Windows 8 Enterprise,Windows 8 Enterprise x64,Windows 8 Pro,Windows 8 Pro x64,Windows 8 x64,Windows Vista Business,Windows Vista Business x64,Windows Vista Enterprise,Windows Vista Enterprise x64,Windows Vista Home Basic,Windows Vista Home Basic x64,Windows Vista Home Premium,Windows Vista Home Premium x64,Windows Vista Ultimate,Windows Vista Ultimate x64,Windows XP Home,Windows XP Home x64,Windows XP Professional,Windows XP Professional x64
Zufälliges Lesen (4KB)
10000 IOPS

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Dieses Produkt haben wir am Dienstag, 12. Mai 2020 in unseren Katalog aufgenommen.

Herstellerinformation

Weitere Informationen zu Garantiearten finden sie per Link oder direkt bei uns. Die angegebenen Herstellergarantien gelten innerhalb Deutschlands. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unseren unten folgenden Herstellerinformationen. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.

Samsung

Samsung Electronics GmbH
Samsung House
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach / Ts.
Deutschland

Hotline für alle Produkte:  06196 77 555 77

Hotline für Mobilgeräte: 06196 77 555 66 


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TECHNISCHE DETAILS

Produktbeschreibung Samsung 850 PRO MZ-7KE512Z - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s
Typ Solid-State-Disk - intern - Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DevSleep-Modus, Samsung 3-core MEX Controller, 3D V-NAND Technology, RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache
Kapazität 512 GB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor 2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate 600 MBps
Puffergrösse 512 MB
Merkmale Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DevSleep-Modus, Samsung 3-core MEX Controller, 3D V-NAND Technology, RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm

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