Samsung PM9A3 15.360 GB SSD M.2 BULK Enterprise PCIE4.0X4
1.725,69 €
Artikel-Nr.: 999479687
Hersteller-Nr.: MZQL215THBLA-00A07
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Produktnummer:
999479687
Produktbeschreibung
Die Samsung SSD PM9A3 bietet eine herausragende Leistung mit sofortiger Reaktionsfähigkeit auf das Host-System, indem sie den Schnittstellenstandard Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 sowie das hocheffiziente Non-Volatile Memory Express (NVMe)-Protokoll verwendet.
Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
Durch die Kombination des zuverlässigeren Samsung NAND-Flash-Speicher-Siliziums mit NAND-Flash-Verwaltungstechnologien bietet die Samsung SSD PM9A3 eine verlängerte Lebensdauer von bis zu 1,3 Schreibvorgängen pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren, was für Unternehmensanwendungen geeignet ist.
Darüber hinaus unterstützt die Samsung SSD PM9A3 Power Loss Protection (PLP). Die PLP-Lösung kann garantieren, dass die vom Hostsystem ausgegebenen Daten im Falle eines plötzlichen Stromausfalls oder einer plötzlichen Stromunterbrechung verlustfrei auf das Speichermedium geschrieben werden.
| Massenspeicher | |
|---|---|
| Typ | Solid State Drive |
| Festplattenlaufwerk | |
| Festplattentyp | Internes Festplattenlaufwerk |
| Formfaktor | 2.5" |
| Formfaktor (metrisch) | 6.4 cm |
| Formfaktor (kurz) | 2.5" |
| Formfaktor (kurz) (metrisch) | 6.4 cm |
| Speicherschnittstelle | U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Schnittstelle | U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Kapazität | 15,36 TB |
| NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) |
| mittlere Wartezeit | 0,02 ms |
| Interner Datendurchsatz | 5200 MBps |
| Interne Datenrate (Schreiben) | 4000 MBps |
| 4 KB Random Read | 850000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 160000 IOPS |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 1 |
| Merkmale | Samsung Elpis Controller, Unterstützt NGUID, Halogen Free, TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, V-NAND Technology |
| Produktzertifizierungen | S.M.A.R.T. |
| Bereitgestellte Schnittstelle | |
| Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe) |
| Erforderlicher Einschub | |
| Kompatibles Schaltfeld | 2.5" (6.4 cm) |
| Energieverbrauch | |
| Energieverbrauch | 13.5 Watt (Schreiben), 4 Watt (Leerlauf), 11 Watt (Lesen) |
| Verschiedenes | |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS |
| Verschlüsselungsinformationen | TCG Opal Encryption |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Kennzeichnung | IC, FCC, RoHS, KCC, RCM, TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB |
| Abmessungen und Gewicht | |
| Breite | 69,85 mm |
| Tiefe | 100,2 mm |
| Höhe | 7 mm |
| Gewicht | 90 g |
| Stoß- und Vibrationstoleranz | |
| Stoßbeschleunigung (Betrieb) | 1500 g |
| Stoßdauer (Betrieb) | 0,5 ms Sinushalbwellen |
| Vibrationsbeschleunigung (Ruhezustand) | 20 g |
| Vibrationsfrequenzbereich (Ruhezustand) | 10-2000 Hz |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
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