Samsung RAM DDR4 LR REG 64 GB/PC2666/ECC/Samsung 4Rx4 64 GB DIMM CL19

Produktbeschreibung

Samsung RAM DDR4 LR REG 64 GB/PC2666/ECC/Samsung 4Rx4 64 GB DIMM CL19

Produktbeschreibung:

64 GB (1x 64 GB) DDR4-RAM ECC
Taktfrequenz 2666 MHz
Spannung 1.2 V

Rüsten Sie jetzt Ihren Arbeitsspeicher auf. Eine Erweiterung des Arbeitsspeichers in Ihrem PC oder Mac bringt Ihnen in der Regel die größte Leistungssteigerung.

Technische Daten:
Anzahl Speicher: 1 · Arbeitsspeicher / Typ: DDR4-RAM ECC · Betriebsspannung: 1.2 V · Latenzzeiten: CL19 19-19-19 · Speicher-Bauform: 288pin LR-DIMM · Speicher-Spezifikation: PC4-21300 · Speicherkapazität (Arbeitsspeicher): 64 GB · Speicherkapazität je Modul: 64 GB · Speichermodul-Typ (Kategorisierung): PC-Arbeitsspeicher Modul · Takt-Frequenz: 2666 MHz · Typ (Hersteller-Typ): SAMSUNG 64 GB DDR4-2666 LRDIMM ECC Reg

Technische Details:

Allgemein
Kapazität
64 GB
Erweiterungstyp
Generisch
Speicher
Typ
DRAM
Technologie
DDR4 SDRAM
Formfaktor
LRDIMM 288-polig
Modulhöhe (Zoll)
1.23
Geschwindigkeit
2666 MHz (PC4-21300)
Latenzzeiten
CL19 (19-19-19)
Datenintegritätsprüfung
ECC
Besonderheiten
Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced
Modulkonfiguration
8192 x 72
Chip-Organisation
4096 x 4
Spannung
1.2 V
Verschiedenes
Kennzeichnung
RoHS, Bleifrei, halogenfrei
RAM 
TypDRAM
ProdukttypSpeichermodul
Formfaktor LRDIMM 288-polig
Modulhöhe (Zoll)1,23
TechnologieDDR4 SDRAM
Speicherkapazität64 GB
Registriert oder gepuffertLoad-Reduced
DatenintegritätsprüfungECC
Modulkonfiguration8192 x 72
Chip-Organisation4096 x 4
Speichergeschwindigkeit2666 MHz
Übereinstimmung der SpeicherspezifikationPC4-21300
Versorgungsspannung1.2 V
CAS LatencyCL19
Latenzzeiten19-19-19
RAM-MerkmaleQuad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Sechzehn Bänke
ErweiterungstypGenerisch
Verschiedenes 
KennzeichnungRoHS, Bleifrei, Halogenfrei
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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