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Artikel-Nr.: 991444077
Hersteller-Nr.: M386A8K40BM2-CTD
GTIN: 7640143872800
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Produktnummer:
991444077
Produktbeschreibung
Samsung RAM DDR4 LR REG 64 GB/PC2666/ECC/Samsung 4Rx4 64 GB DIMM CL19
Produktbeschreibung:
64 GB (1x 64 GB) DDR4-RAM ECCTaktfrequenz 2666 MHz
Spannung 1.2 V
Rüsten Sie jetzt Ihren Arbeitsspeicher auf. Eine Erweiterung des Arbeitsspeichers in Ihrem PC oder Mac bringt Ihnen in der Regel die größte Leistungssteigerung.
Technische Daten:
Anzahl Speicher: 1 · Arbeitsspeicher / Typ: DDR4-RAM ECC · Betriebsspannung: 1.2 V · Latenzzeiten: CL19 19-19-19 · Speicher-Bauform: 288pin LR-DIMM · Speicher-Spezifikation: PC4-21300 · Speicherkapazität (Arbeitsspeicher): 64 GB · Speicherkapazität je Modul: 64 GB · Speichermodul-Typ (Kategorisierung): PC-Arbeitsspeicher Modul · Takt-Frequenz: 2666 MHz · Typ (Hersteller-Typ): SAMSUNG 64 GB DDR4-2666 LRDIMM ECC Reg
Technische Details:
Allgemein
Kapazität
64 GB
Erweiterungstyp
Generisch
Speicher
Typ
DRAM
Technologie
DDR4 SDRAM
Formfaktor
LRDIMM 288-polig
Modulhöhe (Zoll)
1.23
Geschwindigkeit
2666 MHz (PC4-21300)
Latenzzeiten
CL19 (19-19-19)
Datenintegritätsprüfung
ECC
Besonderheiten
Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced
Modulkonfiguration
8192 x 72
Chip-Organisation
4096 x 4
Spannung
1.2 V
Verschiedenes
Kennzeichnung
RoHS, Bleifrei, halogenfrei
RAM | |
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Typ | DRAM |
Produkttyp | Speichermodul |
Formfaktor | LRDIMM 288-polig |
Modulhöhe (Zoll) | 1,23 |
Technologie | DDR4 SDRAM |
Speicherkapazität | 64 GB |
Registriert oder gepuffert | Load-Reduced |
Datenintegritätsprüfung | ECC |
Modulkonfiguration | 8192 x 72 |
Chip-Organisation | 4096 x 4 |
Speichergeschwindigkeit | 2666 MHz |
Übereinstimmung der Speicherspezifikation | PC4-21300 |
Versorgungsspannung | 1.2 V |
CAS Latency | CL19 |
Latenzzeiten | 19-19-19 |
RAM-Merkmale | Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Sechzehn Bänke |
Erweiterungstyp | Generisch |
Verschiedenes | |
Kennzeichnung | RoHS, Bleifrei, Halogenfrei |
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