Transcend DDR3 4 GB SO DIMM 204-PIN 1066 MHz / PC3-8500 CL7 1.5 V ungepuffert non-ECC
55,59 €
Artikel-Nr.: 997881706
Hersteller-Nr.: TS512MSK64V1N
GTIN: 0760557816935
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Produktnummer:
997881706
Produktbeschreibung
Das TS512MSK64V1N ist ein Dual-Inline-Speichermodul, das für den Einbau in 204-polige Edge-Connector-Sockel vorgesehen ist. Das synchrone Design ermöglicht eine präzise Zyklussteuerung mit Hilfe des Systemtaktes. Daten-E/A-Transaktionen sind an beiden Flanken von DQS möglich. Verschiedene Betriebsfrequenzen und programmierbare Latenzen ermöglichen den Einsatz ein und desselben Bausteins für eine Vielzahl von Speichersystemanwendungen mit hoher Bandbreite und hoher Leistung.
| RAM | |
|---|---|
| Typ | DRAM |
| Produkttyp | Speichermodul |
| Formfaktor | SO DIMM 204-PIN |
| Technologie | DDR3 SDRAM |
| Speicherkapazität | 4 GB |
| Registriert oder gepuffert | Ungepuffert |
| Datenintegritätsprüfung | Non-ECC |
| Modulkonfiguration | 512 x 64 |
| Chip-Organisation | 256 x 8 |
| Speichergeschwindigkeit | 1066 MHz |
| Übereinstimmung der Speicherspezifikation | PC3-8500 |
| Versorgungsspannung | 1.5 V |
| CAS Latency | CL7 |
| RAM-Merkmale | On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD) |
| Erweiterungstyp | Generisch |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung | RoHS |
| Service und Support | |
| Typ | Begrenzte lebenslange Garantie (in Deutschland gelten die gesetzlichen Gewährleistungsvorschriften) |
Transcend Information Inc.
Flughafenstraße 52b (Airport-Center)
22335 Hamburg
+49405389070
techsupport-de@transcend-info.com
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RAM
Transcend
DDR3
1
GB
SO
DIMM
204-PIN
1066
MHz
/
PC3-8500
CL7
1.5
V
ungepuffert
non-ECC
Der TS128MLK64V1U ist ein 128M x 64bits DDR3-1066 SO-DIMM. Der TS128MLK64V1U besteht aus 8 Stück 128M x 8bits DDR3 SDRAMs in FBGA-Gehäusen und einem 2048 bits seriellen EEPROM auf einer 240-pin Leiterplatte. Das TS128MLK64V1U ist ein Dual-Inline-Speichermodul und ist für die Montage in 240-Pin-Edge-Connector-Sockeln vorgesehen.Das synchrone Design ermöglicht eine präzise Zyklussteuerung mit Hilfe des Systemtaktes. Daten-E/A-Transaktionen sind an beiden Flanken von DQS möglich. Verschiedene Betriebsfrequenzen und programmierbare Latenzen ermöglichen den Einsatz ein und desselben Bausteins für eine Vielzahl von Speichersystemanwendungen mit hoher Bandbreite und hoher Leistung.
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