Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC

Produktbeschreibung

Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC

Produktbeschreibung:

Merkmale RAM-Speicher 4 GB Speicherlayout (Module
x Größe) 1 x 4 GB Interner Speichertyp DDR4 Speichertaktfrequenz
3200 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor
260-pin SO-DIMM ECC Ja Speicherspannung 1,2 V
Modulkonfiguration 512M x 16

Technische Details:

Allgemein
Kapazität
4 GB
Erweiterungstyp
Generisch
Arbeitsspeicher
Typ
DRAM Speichermodul
Technologie
DDR4 SDRAM
Formfaktor
SO DIMM 260-PIN
Geschwindigkeit
3200 MHz (PC4-25600)
Datenintegritätsprüfung
Non-ECC
Besonderheiten
Single Rank, ungepuffert
Modulkonfiguration
512 x 64
Chip-Organisation
512 x 16
Spannung
1.2 V
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
RAM 
TypDRAM
ProdukttypSpeichermodul
Formfaktor SO DIMM 260-PIN
TechnologieDDR4 SDRAM
Speicherkapazität4 GB
Registriert oder gepuffertUngepuffert
DatenintegritätsprüfungNon-ECC
Modulkonfiguration512 x 64
Chip-Organisation512 x 16
Speichergeschwindigkeit3200 MHz
Übereinstimmung der SpeicherspezifikationPC4-25600
Versorgungsspannung1.2 V
RAM-MerkmaleSingle Rank
ErweiterungstypGenerisch
Kompatibilität 
BeschreibungIntel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
SpezifikationenIntel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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