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Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ungepuffert

RAM 
TypDRAM
ProdukttypSpeichermodul
Formfaktor SO DIMM 262-PIN
TechnologieDDR5 SDRAM
Speicherkapazität8 GB
Registriert oder gepuffertUngepuffert
Chip-OrganisationX16
Speichergeschwindigkeit2800 MHz
Übereinstimmung der SpeicherspezifikationPC5-44800
Versorgungsspannung1.1 V
RAM-MerkmaleSingle Rank
ErweiterungstypGenerisch

Produktbeschreibung

Samsung 8 GB DDR5 5600 MHz SO-DIMM

Produktbeschreibung:

Samsung M425R1 GB4BB0-CWM. Komponente für: PC,
Speicherkapazität: 8 GB,
Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner
Speichertyp: DDR5,
Speichertaktfrequenz: 5600 MHz, Memory Formfaktor:
262-pin SO-DIMM

Technische Details:

Allgemeines
Typ
Speicher
Anzahl Speichermodule
1
Technische Daten
Speicherkapazität
8 GB
Speichertyp
DDR5
Anzahl Pins
262-Pin
Speichermodul-Bauform
SO-DIMM
Speicher-Timing
CL46
Betriebsspannung
1,1 V
Speicherkapazität Einzelmodul
8 GB
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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