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Samsung RAM DDR4 LR REG 128 GB/PC3200/ECC/Samsung Die Speichergeschwindigkeit ist abhängig von der | eingesetzten CPU

RAM 
TypDRAM
ProdukttypSpeichermodul
Formfaktor LRDIMM 288-polig
TechnologieDDR4 SDRAM
Speicherkapazität128 GB
Registriert oder gepuffertLoad-Reduced
DatenintegritätsprüfungECC
Chip-Organisation8192 x 4
Speichergeschwindigkeit1600 MHz
Übereinstimmung der SpeicherspezifikationPC4-25600
Versorgungsspannung1.2 V
RAM-MerkmaleQuad Rank
ErweiterungstypGenerisch

Produktbeschreibung

Das Speichermodul Samsung M386AAG40DM3-CWE bietet mit seiner Speicherkapazität von 128 GB eine Lösung zur Steigerung der Systemleistung. Dieses Speichermodul wurde mit DDR4-SDRAM-Technologie entwickelt und arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 1600 MHz, wodurch eine schnelle Datenübertragung und effizientes Multitasking gewährleistet sind. Es verfügt über eine Quad-Rank-Konfiguration, die Leistung in anspruchsvollen Anwendungen ermöglicht, während die ECC-Datenintegritätsprüfung eine zuverlässige Datenverarbeitung gewährleistet. Der geringe Stromverbrauch von 1,2 V trägt zur Energieeffizienz bei und macht es zu einer guten Wahl für moderne Computeranforderungen.
Mit einem Formfaktor von LRDIMM 288-Pin und der Konformität mit der Speicherspezifikation PC4-25600 ist dieses Modul für die Anforderungen verschiedener professioneller und unternehmerischer Umgebungen ausgelegt. Sein lastreduziertes Design ermöglicht eine höhere Speicherdichte und eignet sich daher für Hochleistungsserver und Workstations. Rüsten Sie mit dem Samsung Speichermodul auf und profitieren Sie von einer deutlichen Verbesserung der Rechenleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz.

  • Effiziente Leistung
    Die Speicherkapazität von 128 GB dieses Speichermoduls ermöglicht eine umfangreiche Datenverarbeitung und ist damit ideal für ressourcenintensive Aufgaben.
  • Zuverlässige Datenintegrität
    Ausgestattet mit ECC gewährleistet dieses Speichermodul die Datengenauigkeit und minimiert das Risiko von Datenkorruption.
  • Energieeffizienter Betrieb
    Mit einer Versorgungsspannung von nur 1,2 V trägt dieser Speicher zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei und unterstützt damit umweltfreundliches Computing.
  • Hohe Geschwindigkeit
    Mit einer Taktrate von 1600 MHz unterstützt dieser DDR4-Speicher schnellere Datenübertragungsraten und verbessert so die Gesamtleistung des Systems.
  • Robustes Design
    Das lastreduzierte Design von LRDIMM ermöglicht höhere Speicherdichten und erfüllt damit die Anforderungen anspruchsvoller Computerumgebungen.
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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