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Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V

RAM 
TypDRAM
ProdukttypSpeichermodul
Formfaktor DIMM 288-PIN
TechnologieDDR4 SDRAM
Speicherkapazität16 GB
Registriert oder gepuffertRegistriert
DatenintegritätsprüfungECC
Modulkonfiguration2048 x 72
Chip-Organisation2048 x 4
Speichergeschwindigkeit2666 MHz
Übereinstimmung der SpeicherspezifikationPC4-21300
Versorgungsspannung1.2 V
CAS LatencyCL19
Latenzzeiten19-19-19
ErweiterungstypGenerisch

Produktbeschreibung

Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V

Produktbeschreibung:

16 GB (1x 16 GB) DDR4-RAM ECC
Taktfrequenz 2666 MHz
Spannung 1.2 V

Rüsten Sie jetzt Ihren Arbeitsspeicher auf. Eine Erweiterung des Arbeitsspeichers in Ihrem PC oder Mac bringt Ihnen in der Regel die größte Leistungssteigerung.

Technische Daten:
Anzahl Speicher: 1 · Arbeitsspeicher / Typ: DDR4-RAM ECC · Betriebsspannung: 1.2 V · Latenzzeiten: CL19 19-19-19 · Speicher-Bauform: 288pin DIMM · Speicher-Spezifikation: PC4-21300 · Speicherkapazität (Arbeitsspeicher): 16 GB · Speicherkapazität je Modul: 16 GB · Speichermodul-Typ (Kategorisierung): PC-Arbeitsspeicher Modul · Takt-Frequenz: 2666 MHz · Typ (Hersteller-Typ): SAMSUNG 16 GB DDR4-2666 RDIMM ECC CL19

Technische Details:

Speicher
RAM-Speicher
16 GB
Interner Speichertyp
DDR4
Speichertaktfrequenz
2666 MHz
Komponente für
PC / Server
Memory Formfaktor
288-pin DIMM
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 16 GB
CAS Latenz
19
Speicherspannung
1.2 V
Unbuffered Speicher
Ja
Speicherrangfolge
1
Funktionen
Produktfarbe
Schwarz, Grün
Betriebsbedingungen
Temperaturbereich in Betrieb
0 - 85 °C
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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