Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V
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Artikel-Nr.: 991762247
Hersteller-Nr.: M393A2K40CB2-CTD
GTIN: 7640143877102
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Produktnummer:
991762247
Produktbeschreibung
Samsung RAM Speicher Memory D4 2666 16 GB ECC R 1,2V 16 GB 1,2 V
Produktbeschreibung:
16 GB (1x 16 GB) DDR4-RAM ECCTaktfrequenz 2666 MHz
Spannung 1.2 V
Rüsten Sie jetzt Ihren Arbeitsspeicher auf. Eine Erweiterung des Arbeitsspeichers in Ihrem PC oder Mac bringt Ihnen in der Regel die größte Leistungssteigerung.
Technische Daten:
Anzahl Speicher: 1 · Arbeitsspeicher / Typ: DDR4-RAM ECC · Betriebsspannung: 1.2 V · Latenzzeiten: CL19 19-19-19 · Speicher-Bauform: 288pin DIMM · Speicher-Spezifikation: PC4-21300 · Speicherkapazität (Arbeitsspeicher): 16 GB · Speicherkapazität je Modul: 16 GB · Speichermodul-Typ (Kategorisierung): PC-Arbeitsspeicher Modul · Takt-Frequenz: 2666 MHz · Typ (Hersteller-Typ): SAMSUNG 16 GB DDR4-2666 RDIMM ECC CL19
Technische Details:
Speicher
RAM-Speicher
16 GB
Interner Speichertyp
DDR4
Speichertaktfrequenz
2666 MHz
Komponente für
PC / Server
Memory Formfaktor
288-pin DIMM
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 16 GB
CAS Latenz
19
Speicherspannung
1.2 V
Unbuffered Speicher
Ja
Speicherrangfolge
1
Funktionen
Produktfarbe
Schwarz, Grün
Betriebsbedingungen
Temperaturbereich in Betrieb
0 - 85 °C
| RAM | |
|---|---|
| Typ | DRAM |
| Produkttyp | Speichermodul |
| Formfaktor | DIMM 288-PIN |
| Technologie | DDR4 SDRAM |
| Speicherkapazität | 16 GB |
| Registriert oder gepuffert | Registriert |
| Datenintegritätsprüfung | ECC |
| Modulkonfiguration | 2048 x 72 |
| Chip-Organisation | 2048 x 4 |
| Speichergeschwindigkeit | 2666 MHz |
| Übereinstimmung der Speicherspezifikation | PC4-21300 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V |
| CAS Latency | CL19 |
| Latenzzeiten | 19-19-19 |
| Erweiterungstyp | Generisch |
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
RAM
Samsung
DDR4
16
GB
DIMM
288-PIN
2666
MHz
PC4-21300
CL19
1.2
V
registriert
ECC
Samsung DDR4 16 GB DIMM 288-PIN 2666 MHz PC4-21300 CL19 1.2 V registriert ECCProduktbeschreibung:Samsung DDR4 Registered DIMMs (or RDIMMs) are designed with an additional hardware register between the DRAM module and the system's memory controller. RDIMMs present several advantages for the system, such as a lower electrical load on the memory controller and sustained stability even with an increase in the number of installed memory modules. Thus, RDIMMs are often the default choice for deployment in server-class computing systems.In addition to Registered DIMM's features, Samsung DDR4 memory is available as Registered DIMM that it provides an optimized solution for highly virtualized environments, high-performance computing and networking. Semiconductor modules of Samsung DDR4 are designed with new system circuit architecture to deliver higher performance with low power requirements than previously available memory products. Doubled bandwidth, along with reduced voltage and dramatically lower power consumption, improves performance and optimizes the total cost of ownership. Technische Details:AllgemeinKapazität16 GBErweiterungstypGenerischSpeicherTypDRAMTechnologieDDR4 SDRAMFormfaktorDIMM 288-PINGeschwindigkeit2666 MHz (PC4-21300)LatenzzeitenCL19 (19-19-19)DatenintegritätsprüfungECCBesonderheitenRegistriertModulkonfiguration2048 x 72Chip-Organisation1024 x 8Spannung1.2 V
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