B-Ware Samsung SO-DIMM 32 GB DDR5-5600 CL46 2Gx8 DR
204,39 €
Artikel-Nr.: 900102879
Hersteller-Nr.: M425R4GA3BB0-CWM_BWARE
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Produktnummer:
900102879
| RAM | |
|---|---|
| Typ | DRAM |
| Produkttyp | Speichermodul |
| Formfaktor | SO DIMM 262-PIN |
| Technologie | DDR5 SDRAM |
| Speicherkapazität | 32 GB |
| Registriert oder gepuffert | Ungepuffert |
| Datenintegritätsprüfung | On-die ECC |
| Chip-Organisation | 2048 x 8 |
| Speichergeschwindigkeit | 2800 MHz |
| Übereinstimmung der Speicherspezifikation | PC5-44800 |
| Versorgungsspannung | 1.1 V |
| RAM-Merkmale | Dual Rank |
| Erweiterungstyp | Generisch |
Produktbeschreibung
Zustand: BWARE - Verpackung geöffnet - neu - ohne Zubehör
Das Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein Speichermodul, das Ihr Computererlebnis verbessern soll. Mit einer Speicherkapazität von 32 GB und einer Speichergeschwindigkeit von 2800 MHz ist dieses DRAM-Modul ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Szenarien. Seine DDR5-SDRAM-Technologie sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung, während die On-Die-ECC-Datenintegritätsprüfung Zuverlässigkeit und Stabilität für kritische Arbeitslasten bietet. Dieses SO-DIMM-Speichermodul verfügt über eine Dual-Rank-Organisation und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V, wodurch es energieeffizient ist und gleichzeitig die Leistung beibehält. Sein ungepuffertes Design ermöglicht eine einfache Integration in kompatible Systeme und ermöglicht es Benutzern, ihre Geräte aufzurüsten. Ob für Spiele, die Erstellung von Inhalten oder den allgemeinen Gebrauch – das Samsung M425R4GA3BB0-CWM-Speichermodul bietet die Geschwindigkeit und Kapazität, um verschiedene Anforderungen effizient zu erfüllen.
Das Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein Speichermodul, das Ihr Computererlebnis verbessern soll. Mit einer Speicherkapazität von 32 GB und einer Speichergeschwindigkeit von 2800 MHz ist dieses DRAM-Modul ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Szenarien. Seine DDR5-SDRAM-Technologie sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung, während die On-Die-ECC-Datenintegritätsprüfung Zuverlässigkeit und Stabilität für kritische Arbeitslasten bietet. Dieses SO-DIMM-Speichermodul verfügt über eine Dual-Rank-Organisation und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V, wodurch es energieeffizient ist und gleichzeitig die Leistung beibehält. Sein ungepuffertes Design ermöglicht eine einfache Integration in kompatible Systeme und ermöglicht es Benutzern, ihre Geräte aufzurüsten. Ob für Spiele, die Erstellung von Inhalten oder den allgemeinen Gebrauch – das Samsung M425R4GA3BB0-CWM-Speichermodul bietet die Geschwindigkeit und Kapazität, um verschiedene Anforderungen effizient zu erfüllen.
- Zuverlässige Leistung
Dieses Speichermodul verfügt über On-Die-ECC, das die Datenintegrität durch Fehlerkorrektur während der Datenverarbeitung unterstützt und so Stabilität und Zuverlässigkeit in kritischen Anwendungen gewährleistet. - Schnelle Datenverarbeitung
Mit einer Speichergeschwindigkeit von 2800 MHz ermöglicht das Samsung M425R4GA3BB0-CWM einen schnellen Datenzugriff und verbessert so die allgemeine Reaktionsfähigkeit und Leistung des Systems in anspruchsvollen Umgebungen. - Energieeffizientes Design
Dieses Speichermodul arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V und verbraucht weniger Strom, während es Leistung liefert, was es zur idealen Wahl für energiebewusste Benutzer macht. - Einfaches Upgrade
Der SO-DIMM-Formfaktor ermöglicht eine unkomplizierte Installation und Kompatibilität mit einer Vielzahl von Geräten, sodass Benutzer ihren Speicher ohne Komplikationen aufrüsten können. - Organisation mit zwei Rängen
Die Dual-Rank-Konfiguration dieses Speichermoduls optimiert den Datenfluss und verbessert die Gesamtleistung, wodurch es für Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist.