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Samsung PM9A3 3840 GB PCIe/6900 MBs Read 4100 Write

Massenspeicher 
TypSolid State Drive
Festplattenlaufwerk 
FestplattentypInternes Festplattenlaufwerk
Formfaktor 2.5"
Formfaktor (metrisch)6.4 cm
Formfaktor (kurz)2.5"
Formfaktor (kurz) (metrisch)6.4 cm
SpeicherschnittstelleU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
SchnittstelleU.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Kapazität3,84 TB
NAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)
Interner Datendurchsatz6900 MBps
Interne Datenrate (Schreiben)4100 MBps
4 KB Random Read1000000 IOPS
4 KB Random Write180000 IOPS
MerkmaleSamsung Elpis Controller, Samsung V-NAND TLC Technology, Low Power SDRAM Cache, Unterstützt NGUID, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN)
ProduktzertifizierungenS.M.A.R.T.
Bereitgestellte Schnittstelle 
SchnittstellenPCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)
Erforderlicher Einschub 
Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)
Software 
TypSamsung SSD DC Tool kit
Energieverbrauch 
Energieverbrauch13.5 Watt (Schreiben), 11 Watt (Lesen), 3.5 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes 
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
VerschlüsselungsinformationenTCG Opal Encryption
HardwareverschlüsselungJa
MTBF2,000,000 Stunden
Abmessungen und Gewicht 
Breite69,85 mm
Tiefe100,2 mm
Höhe6,8 mm
Gewicht90 g
Service und Support 
Typ5 Jahre Garantie
Details zu Service & Support 
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre
Stoß- und Vibrationstoleranz 
Stoßbeschleunigung (Betrieb)1500 g
Stoßdauer (Betrieb)0,5 ms Sinushalbwellen
Umgebungsbedingungen 
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C

Produktbeschreibung

Samsung PM9A3 3840 GB PCIe/6900 MBs Read 4100 Write

Produktbeschreibung:

Samsung PM9A3. SSD Speicherkapazität: 3,84 TB
- SSD-Formfaktor: 2.5" - Lesegeschwindigkeit:
6900 MB/s - Schreibgeschwindigkeit: 4100 MB/s
- Komponente für: PC

Technische Details:

Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
3.84 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
2.5" (6,4 cm)
Schnittstelle
U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), Samsung Elpis Controller, Samsung V-NAND TLC Technology, Low Power SDRAM Cache, unterstützt NGUID, S.M.A.R.T.
Breite
69.85 mm
Tiefe
100.2 mm
Höhe
6.8 mm
Gewicht
90 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
6900 MBps (lesen)/ 4100 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1000000 IOPS
4 KB Random Write
180000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 U.2 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6,4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
11 Watt (Lesen)
13.5 Watt (Schreiben)
3.5 Watt (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung SSD DC Tool kit
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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