Transcend 16 GB DDR4 2666 U-DIMM 16 GB 2.666 MHz UDIMM CL19
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Artikel-Nr.: 998695023
Hersteller-Nr.: TS2666HLB-16G
GTIN: 0760557846826
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Produktnummer:
998695023
Produktbeschreibung
Transcend 16 GB DDR4 2666 U-DIMM 16 GB 2.666 MHz UDIMM CL19
Produktbeschreibung:
Transcends DDR4-2666 U-DIMM-Speichermodule wurdennach strengsten Spezifikationen mit den besten
verfügbaren Chips und Komponenten gebaut und strikten
Labortests unterzogen,
um vollständig kompatibel mit den Intel Coffee
Lake- und AMD Ryzen-Prozessoren zu sein.
Jedes Speichermodul hat eine Nennleistung von 2666 MHz,
was die Datenübertragungseffizienz mittels höhere
Bandbreite von bis zu 21 GB/s deutlich steigert.
Das DDR4-2666 U-DIMM Modul von Transcend wird
bei einer Nennspannung von nur 1,2V betrieben,
was sicher stellt, dass sowohl die Betriebstemperatur
als auch die elektrische Belastung des Speichercontrollers
reduziert werden können,
um mehr Energie zu sparen.
Technische Details:
Allgemein
Kapazität
16 GB
Erweiterungstyp
Systemspezifisch
Arbeitsspeicher
Typ
DRAM Speichermodul
Technologie
DDR4 SDRAM
Formfaktor
DIMM 288-PIN
Modulhöhe (Zoll)
1.23
Geschwindigkeit
2666 MHz (PC4-21300)
Latenzzeiten
CL19
Datenintegritätsprüfung
Non-ECC
Besonderheiten
Dual Rank, ungepuffert
Chip-Organisation
1024 x 8
Spannung
1.2 V
Verschiedenes
Kennzeichnung
JEDEC
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte lebenslange Garantie (in Deutschland gelten die gesetzlichen Gewährleistungsvorschriften)
| RAM | |
|---|---|
| Typ | DRAM |
| Produkttyp | Speichermodul |
| Formfaktor | DIMM 288-PIN |
| Modulhöhe (Zoll) | 1,23 |
| Technologie | DDR4 SDRAM |
| Speicherkapazität | 16 GB |
| Registriert oder gepuffert | Ungepuffert |
| Datenintegritätsprüfung | Non-ECC |
| Chip-Organisation | 1024 x 8 |
| Speichergeschwindigkeit | 2666 MHz |
| Übereinstimmung der Speicherspezifikation | PC4-21300 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V |
| CAS Latency | CL19 |
| RAM-Merkmale | Dual Rank |
| Erweiterungstyp | Systemspezifisch |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung | JEDEC |
| Service und Support | |
| Typ | Begrenzte lebenslange Garantie (in Deutschland gelten die gesetzlichen Gewährleistungsvorschriften) |
Transcend Information Inc.
Flughafenstraße 52b (Airport-Center)
22335 Hamburg
+49405389070
techsupport-de@transcend-info.com
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+49405389070
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RAM
Transcend
8
GB
DDR4
2666
U-DIMM
8
GB
2.666
MHz
UDIMM
CL19
Transcends DDR4-2666 U-DIMM-Speichermodule wurden nach strengsten Spezifikationen mit den besten verfügbaren Chips und Komponenten gebaut und strikten Labortests unterzogen, um vollständig kompatibel mit den Intel Coffee Lake- und AMD Ryzen-Prozessoren zu sein. Jedes Speichermodul hat eine Nennleistung von 2666 MHz, was die Datenübertragungseffizienz mittels höhere Bandbreite von bis zu 21 GB/s deutlich steigert. Das DDR4-2666 U-DIMM Modul von Transcend wird bei einer Nennspannung von nur 1,2V betrieben, was sicher stellt, dass sowohl die Betriebstemperatur als auch die elektrische Belastung des Speichercontrollers reduziert werden können, um mehr Energie zu sparen.
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UDIMM
Die JetRam-Speichermodule von Transcend werden mit sorgfältig geprüften (ETT-Grade) Marken-DRAM-Chips hergestellt, die die strengen Qualitätskontrollen und Testverfahren von Transcend bestanden haben. Die Module bieten eine exzellente Kompatibilität und eine umfassend getestete Zuverlässigkeit, so dass sie sich ideal für PC-Upgrades eignen. Jedes Speichermodul ist auf 2666 MHz ausgelegt, um die Datenübertragungseffizienz durch eine höhere Bandbreite zu maximieren.
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U-DIMM
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Transcends DDR4-2666 U-DIMM-Speichermodule wurden nach strengsten Spezifikationen mit den besten verfügbaren Chips und Komponenten gebaut und strikten Labortests unterzogen, um vollständig kompatibel mit den Intel Coffee Lake- und AMD Ryzen-Prozessoren zu sein. Jedes Speichermodul hat eine Nennleistung von 2666 MHz, was die Datenübertragungseffizienz mittels höhere Bandbreite von bis zu 21 GB/s deutlich steigert. Das DDR4-2666 U-DIMM Modul von Transcend wird bei einer Nennspannung von nur 1,2V betrieben, was sicher stellt, dass sowohl die Betriebstemperatur als auch die elektrische Belastung des Speichercontrollers reduziert werden können, um mehr Energie zu sparen.
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