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Samsung PM9A3 MZ1L2960HCJR - SSD - 960 GB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) M.2

Massenspeicher 
TypSolid State Drive
Festplattenlaufwerk 
FestplattentypInternes Festplattenlaufwerk
Formfaktor M.2 22110
Formfaktor (metrisch)M.2 22110
Formfaktor (kurz)M.2
Formfaktor (kurz) (metrisch)M.2
SpeicherschnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
SchnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kapazität960 GB
NAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)
Interner Datendurchsatz5500 MBps
Interne Datenrate (Schreiben)1400 MBps
4 KB Random Read550000 IOPS
4 KB Random Write60000 IOPS
Byte pro Sektor512
Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17
MerkmaleSamsung Elpis Controller, V-NAND Technology
Bereitgestellte Schnittstelle 
SchnittstellenPCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Erforderlicher Einschub 
Kompatibles SchaltfeldM.2 22110
Energieverbrauch 
Energieverbrauch2.5 Watt (Leerlauf), 6.5 Watt (Schreiben), 7.5 Watt (Lesen)
Verschiedenes 
Verschlüsselungsalgorithmus256-bit AES-XTS
VerschlüsselungsinformationenTCG Opal Encryption 2.0
HardwareverschlüsselungJa
MTBF2,000,000 Stunden
KennzeichnungIC, FCC, RoHS, KCC, Halogenfrei, RCM, TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB
Abmessungen und Gewicht 
Breite22 mm
Tiefe110 mm
Höhe3,8 mm
Gewicht20 g
Stoß- und Vibrationstoleranz 
Stoßbeschleunigung (Ruhezustand)1500 g
Vibrationsbeschleunigung (Ruhezustand)20 g
Vibrationsfrequenzbereich (Ruhezustand)10-2000 Hz
Umgebungsbedingungen 
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Min. Lagertemperatur-40 °C
Max. Lagertemperatur85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)

Produktbeschreibung

Samsung PM9A3 MZ1L2960HCJR – Hochleistungs-SSD mit PCIe 4.0

Die Samsung PM9A3 MZ1L2960HCJR ist eine leistungsstarke interne SSD mit 960 GB Kapazität, die speziell für anspruchsvolle IT-Profis und Unternehmen entwickelt wurde. Dank der modernen PCIe 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle bietet sie außergewöhnlich schnelle Datenübertragungsraten und sichert so effiziente Workflows in Server- und Storage-Umgebungen.

Diese M.2 22110 SSD kombiniert hohe Geschwindigkeit mit robuster Sicherheit durch 256-bit AES-XTS Verschlüsselung und TCG Opal 2.0 Compliance. Mit einer Lesegeschwindigkeit von bis zu 5500 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 1400 MB/s gewährleistet sie schnelle Zugriffszeiten und reibungslose Datenverarbeitung. Die Verwendung von Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Flash sorgt für eine ausgewogene Balance zwischen Performance und Lebensdauer, unterstützt durch eine MTBF von 2 Millionen Stunden, die eine langfristige Zuverlässigkeit garantiert.

Technische Highlights

  • Kapazität: 960 GB – ideal für große Datenmengen und anspruchsvolle Anwendungen
  • Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe) für maximale Datenübertragungsraten
  • Formfaktor: M.2 22110 – kompakt und vielseitig einsetzbar
  • Lesegeschwindigkeit: bis zu 5500 MB/s für schnelle Datenzugriffe
  • Schreibgeschwindigkeit: bis zu 1400 MB/s für effizientes Speichern
  • Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Flash für optimale Performance und Haltbarkeit
  • Sicherheit: 256-bit AES-XTS Verschlüsselung und TCG Opal 2.0 für umfassenden Datenschutz
  • Zuverlässigkeit: MTBF von 2.000.000 Stunden für langlebigen Betrieb
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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